封裝直接影響著芯片的電性能、機(jī)械性能、熱性能、可靠性，決定著整機(jī)電子系統(tǒng)的性能、小型化、可靠性和成本。

在這里封裝實(shí)現(xiàn)了三大功能：1、保護(hù)：避免芯片受到外界環(huán)境化學(xué)的或物理的傷害；2、互聯(lián)：引入電源給芯片供電，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)間信號(hào)互聯(lián)；3、散熱：將芯片的產(chǎn)生的熱量散發(fā)到外界環(huán)境。  

一、SiP封裝工藝介紹 

SiP封裝工藝，是以一定的工序，在封裝基板上，實(shí)現(xiàn)阻容感、芯片等器件的組裝互連，并把芯片包封保護(hù)起來的加工過程。在這個(gè)過程中我們可以粗略的劃分為以下工序（制程）。

二、SiP封裝工藝中的Wafer Grinding(晶圓研磨)工序 

為保持一定的可操持性，F(xiàn)oundry出來的圓厚度一般在700um左右。封測(cè)廠必須將其研磨減薄，才適用于切割、組裝，一般需要研磨到200um左右。其中晶圓研磨主要可分為下面三個(gè)步驟：Taping(貼膜) → Back Grinding(背面研磨) → Detaping(去膜)。 1、Taping(貼膜)：在晶圓的正面（Active Area）貼上一層保護(hù)膜，保護(hù)芯片電路區(qū)域在研磨時(shí)不被刮傷，如下圖所示。 2、Back Grinding(背面研磨)：將貼膜后的晶圓放在真空吸盤上，真空吸盤其旋轉(zhuǎn)。研磨砂輪轉(zhuǎn)動(dòng)的同時(shí)對(duì)晶圓施壓，將其研磨到最終需要的厚度，如下圖所示。 3、Detaping(去膜)：晶圓研磨后，將保護(hù)膜經(jīng)紫外光照射后剝離。

三、SiP封裝工藝中的Dicing(晶圓切割)工序 

晶圓切割流程主要有兩個(gè)步驟：Wafer Mounting (晶圓貼片)→ Die Singulation(芯片切單)。 1、Wafer Mounting(晶圓貼片)：貼膜的主要作用是防止芯片在切割時(shí)散落，另外也方便后續(xù)Die Attche工序拾取芯片。 2、Dicing芯片切割)：芯片切割又叫劃片，目前主要有兩種方式：刀片切割和激光切割。當(dāng)Wafer切割后，所有的芯片分離開后，將其放入晶圓框架盒中，流去下一工序。

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